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MMBR5179LT1

RFAMPLIFIERTRANSISTORNPNSILICON

TheRFLine NPNSiliconHigh-FrequencyTransistor Designedforsmall–signalamplificationatfrequenciesto500MHz.Specificallypackagedforuseinthickandthin–filmcircuitsusingsurfacemountcomponents. •HighGain—Gpe=15dBTyp@f=200MHz •LowNoise—NF=4.5dBTyp@f=200

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MMBR5179LT1

RF&MICROWAVETRANSISTORS

DESCRIPTION TheMMBR5179LT1isalownoise,highgain,discretesiliconbipolartransistorshousedinlowcostplasticpackages. KEYFEATURES ◾HighFTau-1.4GHz ◾Lownoise-4.5dB@200MHz ◾LowcostSOT23package APPLICATIONS/BENEFITS ◾LNA,Oscillator,Pre-Driver

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

MMBR5179LT1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBR5179LT1

  • 制造商

    Motorola Inc

  • 制造商

    Motorola Inc

  • 功能描述

    Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-236

更新时间:2024-5-24 17:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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