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位置：首页 > IC中文资料第7619页 > MMBD101

MMBD101价格

参考价格：￥0.1710

型号：MMBD101LT1G 品牌：ON 备注：这里有MMBD101多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBD101批发/采购报价，MMBD101行情走势销售排行榜，MMBD101报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMBD101

SILICONSCHOTTKYBARRIERDIODES

DesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutsuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits.Suppliedinaninexpensiveplasticpackageforlow−cost,high−volumeconsumerrequirements.AlsoavailableinSurfaceMountpackage. Features •LowNoiseFigure−6.0dBTyp@1

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBD101

SchottkyBarrierDiodes

DesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutsuitablealsoforuseindetectorandultra-fastswitchingcircuits.Suppliedinaninexpensiveplasticpackageforlow-cost,high-volumeconsumerrequirements.AlsoavailableinSurfaceMountpackage. •LowNoiseFigure—6.0dBTyp@1.0GHz •VeryLow

LRCLeshan Radio Co., Ltd

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC
MMBD101

SurfaceMountSchottkyBarrierDiode

Features LowTurn-onVoltage ForUHFmixerapplication Alsosuitableforuseindetectorandultra-fast switchingcircuitsLowNoiseFigure-6.0dBTyp@1.0GHz VeryLowCapacitance-LessThan1.0pF@0V HighForwardConductance-0.5V(Typ)@IF=10mA

DAESAN

Daesan Electronics Corp.

DAESAN
MMBD101

SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE

SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE VOLTAGE7.0VoltsPOWER250mWatts FEATURES •LowCapacitance,MinimizingInsertionLossesinVHFApplications •LowVF:0.5V(Typ)atIF=10mA •ExtremelyFastSwitchingSpeed •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
MMBD101

SchottkyBarrierDiodes

Features ●LowNoiseFigure-6.0dBTyp@1.0GHz ●VeryLowCapacitance-LessThan1.0pF@zeroVolts ●HighForwardConductance-0.5volts(typ)@IF=10mA

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
MMBD101

SchottkyBarrierDiode

Features ◇Lownoisefigure-6.0dB@1.0GHz ◇Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. ◇Verylowcapacitance–lessthan1.0pF@zerovolts. ◇Highforwardconductance-0.5volts(typ.)@IF=10mA. Applications ◇Highspeedswitching.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
MMBD101

SchottkyBarrierDiodes

FEATURES ●Lownoisefigure-6.0dB@1.0GHz. ●Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. ●Verylowcapacitance–lessthan1.0pF@zerovolts. ●Highforwardconductance-0.5volts(typ.)@IF=10mA. ●MSL1. APPLICATIONS ●Highspeedswitching.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
MMBD101

SchottkyBarrierDiodes

FEATURES ●Lownoisefigure-6.0dB@1.0GHz ●Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. ●Verylowcapacitance–lessthan1.0pF@zerovolts. ●Highforwardconductance-0.5volts(typ.)@IF=10mA. APPLICATIONS ●Highspeedswitching.

DSK

Diode Semiconductor Korea

DSK
MMBD101

SchottkyBarrierDiodes

文件：203.09 Kbytes Page：3 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
MMBD101

SchottkyBarrierDiode

文件：1.10316 Mbytes Page：2 Pages

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
MMBD101

SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE

文件：133.89 Kbytes Page：3 Pages

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
MMBD101

SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE

文件：84.98 Kbytes Page：3 Pages

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
MMBD1010LT1

SwitchingDiode

PartoftheGreenLine™Portfolioofdeviceswithenergy−conservingtraits. Thisswitchingdiodehasthefollowingfeatures: •VeryLowLeakage(≤500pA)promotesextendedbatterylifebydecreasingenergywaste.Guaranteedleakagelimitisforeachdiodeinthepaircontingentupontheotherdi

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBD101LT1

SILICONSCHOTTKYBARRIERDIODES

DesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutsuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits.Suppliedinaninexpensiveplasticpackageforlow−cost,high−volumeconsumerrequirements.AlsoavailableinSurfaceMountpackage. Features •LowNoiseFigure−6.0dBTyp@1

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBD101LT1

SchottkyBarrierDiodes

DesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutsuitablealsoforuseindetectorandultra-fastswitchingcircuits.Suppliedinaninexpensiveplasticpackageforlow-cost,high-volumeconsumerrequirements.AlsoavailableinSurfaceMountpackage. •LowNoiseFigure—6.0dBTyp@1.0GHz •VeryLow

LRCLeshan Radio Co., Ltd

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC
MMBD101LT1G

SchottkyBarrierDiodes

DesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutsuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits.Suppliedinaninexpensiveplasticpackageforlow−cost,high−volumeconsumerrequirements.AlsoavailableinSurfaceMountpackage. Features •LowNoiseFigure−6.0dBTyp@1

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBD101TS

SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE

FEATURES •LowCapacitance,MinimizingInsertionLossesinVHFApplications •LowInductance,SmallLead-Length(SOD-523)Package •LowVF:0.5V(Typ)atIF=10mA •ExtremelyFastSwitchingSpeed •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
MMBD101W

SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE

FEATURES •LowCapacitance,MinimizingInsertionLossesinVHFApplications •LowVF:0.5V(Typ)atIF=10mA •ExtremelyFastSwitchingSpeed •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
MMBD101WS

SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE

FEATURES •LowCapacitance,MinimizingInsertionLossesinVHFApplications •LowVF:0.5V(Typ)atIF=10mA •ExtremelyFastSwitchingSpeed •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
MMBD101_05

SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE

文件：84.98 Kbytes Page：3 Pages

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
MMBD101_07

SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE

文件：133.89 Kbytes Page：3 Pages

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
MMBD101_17

SchottkyBarrierDiodes

文件：203.09 Kbytes Page：3 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
MMBD101_V01

SchottkyBarrierDiode

文件：1.10316 Mbytes Page：2 Pages

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
MMBD1011

SurfaceMountSwitchingDiode

文件：376.66 Kbytes Page：4 Pages

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON
MMBD101LT1

包装：散装 描述：DIODE SCHOTTKY 225MW 7V SOT23 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBD101LT1

SchottkyBarrierDiodes

文件：65.08 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBD101LT1G

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3 分立半导体产品 二极管 - 射频

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBD101LT1G

SchottkyBarrierDiodes

文件：65.08 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
101

SHIELDEDSMTPOWERINDUCTORS

●FEATURE VarioushighpowerinductorareSuperior tobehighsaturationforsurfacemounting ●APPLICATIONS 2DC/DCconverterpowersupply, Telecommunicationequipment

PRODUCTWELLProductwell Precision Elect.CO.,LTD

寶德華股台灣寶德華股有限公司

PRODUCTWELL
101

0.9/1.9GHzBROADBANDPRE-POWERAMPLIFIER

DESCRIPTION TheSTB7101,designedforcellularapplications(0.9/1.9GHz),usesa20GHzFTsiliconbipolarprocess.ThisICisawiderangeamplifieroperatingfrom900MHzto1900MHz,intheoverallfrequenciesrangethegainflatnessislessthan1dB.TheSTB7101ishousedinaverysmallSMD

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
101

PrecisionWirewoundResistors

100Series/SMSeries/PCSeries •Resistancesto6Megohms •ResistanceTolerancesto±0.005 •TemperatureCoeffcientsof±2ppm/°C •HighTCRAvailable(Balco&PlatinumWire) •100AcceptanceTested/TraceabletoNIST •LongTermStability/100ppm/year •MatchedResistanceSetst

Riedon

Riedon Inc.

Riedon
101

Smooth,hightorque,rollerratchethandle

文件：254.3 Kbytes Page：3 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
101

PrecisionWirewoundResistors

文件：318.25 Kbytes Page：2 Pages

Riedon

Riedon Inc.

Riedon

MMBD101产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBD101

  • 制造商

    LRC

  • 制造商全称

    Leshan Radio Company

  • 功能描述

    Schottky Barrier Diodes

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更新时间：2024-4-30 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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