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位置：首页 > IC中文资料第1636页 > MJ11029

MJ11029晶体管资料

  • MJ11029别名：MJ11029三极管、MJ11029晶体管、MJ11029晶体三极管

  • MJ11029生产厂家：

  • MJ11029制作材料：Si-P+Darl+Di

  • MJ11029性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • MJ11029封装形式：直插封装

  • MJ11029极限工作电压：60V

  • MJ11029最大电流允许值：50A

  • MJ11029最大工作频率：<1MHZ或未知

  • MJ11029引脚数：2

  • MJ11029最大耗散功率：300W

  • MJ11029放大倍数：β>1000

  • MJ11029图片代号：E-44

  • MJ11029vtest：60

  • MJ11029htest：999900

  • MJ11029atest：50

  • MJ11029wtest：300

  • MJ11029代换 MJ11029用什么型号代替：

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJ11029

50AMPERECOMPLEMENTARYSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS60.120VOLTS300WATTS

High-CurrentComplementarySiliconTransistor ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC=25Adc hFE=400(Min)@IC=50Adc •Curvesto100A(Pulsed) •

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MJ11029

COMPLEMENTARYSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

High−CurrentComplementarySiliconPowerTransistorsareforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=1000(Min)@IC=25Adc hFE=400(Min)@IC=50Adc •Curvesto100A

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ11029

POWERTRANSISTOR(50A,60-120V,300W)

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighGainDarlingtonPerformance •HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=25A hFE=400(Mi

MOSPEC

MOSPEC

MOSPEC
MJ11029

COMPLEMENTARYDARLINGTONPOWERTRANSISTOR

FEATURES •HIGHDCCURRENTGAIN HFE=1000Min@IC=25A HFE=400Min0@IC=50A •CURVESTO100A(Pulsed) •DIODEPROTECTIONTORATEDIC •MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILT-INBASE–EMITTERSHUNTRESISTOR •JUNCTIONTEMPERATURETO+200°C APPLICATIONS Foruseasoutputde

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
MJ11029

iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=-60V(Min.) •HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min.)@IC=-25A :hFE=400(Min.)@IC=-50A •ComplementtoTypeMJ11028 APPLICATIONS •Designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplic

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJ11029

High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistors

High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistorsareforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@Ic=25Adc hFE=400(Min)@Ic=50Adc •Curvesto100A(P

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
MJ11029

High?묬urrentComplementarySiliconPowerTransistors

文件：68.44 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ11029

High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistors

文件：121.71 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ11029G

High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistors

文件：121.71 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ11029G

High?묬urrentComplementarySiliconPowerTransistors

文件：68.44 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

MJ11029产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJ11029

  • 功能描述

    达林顿晶体管 50A 60V Bipolar

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

MJ11029供应商更多...

更新时间：2024-4-27 10:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瀚佳科技(深圳)有限公司
MJ11030
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MODULE
2100
公司大量全新现货 随时可以发货
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深圳市坤融电子科技有限公司
MJ11029
MOTOROLA/摩托罗拉
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深圳市百诺芯科技有限公司
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TO-59
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