位置：首页 > IC中文资料第2752页 > MGB15N40CLT4
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MGB15N40CLT4 | InternallyClampedN-ChannelIGBT InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
MGB15N40CLT4 | IgnitionIGBT15Amps,410Volts InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
MGB15N40CLT4 | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 440V 15A 150W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
MGB15N40CLT4 | IgnitionIGBT15Amps,410VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK 文件：91.6 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
MGB15N40CLT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
MGB15N40CLT4
- 功能描述
IGBT 晶体管 15A 410V Ignition
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
15793 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
ON |
2016+ |
TO263 |
12543 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
ON |
23+ |
TO263 |
20000 |
原厂原装正品现货 |
|||
ON/安森美 |
TO263 |
22+ |
15819 |
专营厂家量大可定货 |
|||
ON |
2023+ |
D2PAK3LE |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
ON |
24+ |
TO263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
|||
ON/安森美 |
2022 |
TO263 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
ON Semiconductor |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
TO263 |
51818 |
原装现货假一赔十 |
|||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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2019-6-24
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