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MDI400-12E4	IGBTModule IGBTModule phaselegandchoppertopolgies Features •IGBT -lowsaturationvoltage -positivetemperaturecoefficient -fastswitching -shorttailcurrentforoptimized performanceinresonantcircuits •HiPerFREDTMdiodes -fastandsoftreverserecovery -lowopera	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
MDI400-12E4	封装/外壳：Y3-Li 包装：散装描述：IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI 分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
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MDI400-12E4产品属性

类型
描述
型号
MDI400-12E4
功能描述
IGBT 模块 400 Amps 1200V
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
C的连续集电极电流
230 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作温度
+ 125 C
封装/箱体
34MM

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更新时间：2024-4-29 22:30:00

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