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MD918BF | MULTIPLESILICONANNULARTRANSISTORS MULTIPLESILICONANNULARTRANSISTORS ...designedforUMatdifferentialamplifiers,dualhighfrequencyamplifier!,frontenddetectorsandtemperaturecompensationapplications •LowCollector-EmitterSaturationVoltage— VCE(sat)=0.2Vdc(Max)@IC=10mAdc •DCCurrentGain-50(M | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | ||
MD918BF | MULTIPLESILICONANNULARTRANSISTORS 文件:107.79 Kbytes Page:2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | ||
Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | |||
Wideband,43dBIsolation1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOSprocesstoprovidehighisolationandlowinsertionlossto1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflectiveswitch.Thesedevicesaredesignedsuchth | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | |||
Wideband,43dBIsolation1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOSprocesstoprovidehighisolationandlowinsertionlossto1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflectiveswitch.Thesedevicesaredesignedsuchth | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | |||
Wideband,43dBIsolation1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOSprocesstoprovidehighisolationandlowinsertionlossto1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflectiveswitch.Thesedevicesaredesignedsuchth | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | |||
M12?륚PlasticPassiveI/OBox 文件:204.08 Kbytes Page:3 Pages | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MD |
D/C |
DIP |
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SOP16 |
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2021-12-14MD6000-6UMG641全新原装现货
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2021-1-20MDD44-16N1B
专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件;主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元
2019-10-18MDC5000T1-硅集成电路SMALLBLOCK
•保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管•提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件•工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围•降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化•占用?0.5毫瓦的VCC=2.75v时该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立,NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源,直接接地,而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频
2013-3-17
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