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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -60V,-12.5A,RDS(ON)=100mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS
更新时间:2024-6-1 23:00:01
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