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位置：首页 > IC中文资料第859页 > MBR10H100CT

MBR10H100CT价格

参考价格：￥7.2346

型号：MBR10H100CT-E3/45 品牌：VIS 备注：这里有MBR10H100CT多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MBR10H100CT批发/采购报价，MBR10H100CT行情走势销售排行榜，MBR10H100CT报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MBR10H100CT

MBR10H100CT,MBRF10H100CT&MBRB10H100CTSeries

Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 •Dualrectifierconstruction,positivecentertap •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Guardringforovervoltageprotection •Foruseinlowvol

VAISHVaishali Semiconductor

Vaishali Semiconductor

VAISH
MBR10H100CT

SWITCHMODEPowerRectifier100V,10A

FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage:0.61V@125°C •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •10ATotal(5.0APerDiodeLeg) •Guard−RingforStressProtection •Pb−FreePackageisAvailable Applications •PowerSupply−Outp

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MBR10H100CT

10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers

Features ●PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ●Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapability ●Foruseinpowersupply–outputrectif

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
MBR10H100CT

DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier

DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •H

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
MBR10H100CT

DualHigh-VoltageSchottkyRectifiers

DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •H

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
MBR10H100CT

PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0

SchottkyBarrierRectifiers Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Dualrectifierconstruction,positivecentertap •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Guardringforovervo

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
MBR10H100CT

PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0

SchottkyBarrierRectifiers Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Dualrectifierconstruction,positivecentertap •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Guardringforovervo

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
MBR10H100CT

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

Features Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std..(HalogenFree) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

SUNMATE
MBR10H100CT

10.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers

Features ●PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ●Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapability ●Foruseinpowersupply–outputrectif

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
MBR10H100CT

PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0

SchottkyBarrierRectifiers Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Dualrectifierconstruction,positivecentertap •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Guardringforovervo

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
MBR10H100CT

DualCommonCathodeHighVoltageSchottkyRectifier

FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C(forTO-263ABpackage)

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
MBR10H100CT

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

Taiwan Semiconductor Corporation

Taiwan Semiconductor Corporation

Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10H100CT

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MBR10H100CT

PowerSchottkyRectifier

文件：268.45 Kbytes Page：4 Pages

SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD.

赛恩半导体深圳市赛恩半导体有限公司

SISEMIC
MBR10H100CT

DualCommonCathodeHighVoltageSchottkyRectifier

文件：154.78 Kbytes Page：6 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
MBR10H100CT

DualCommonCathodeSchottkyRectifier

文件：207.43 Kbytes Page：4 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
MBR10H100CT

10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers

文件：195.43 Kbytes Page：2 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
MBR10H100CT

SchottkyBarrierDiodeinaTO-220PlasticPackage

文件：862.83 Kbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
MBR10H100CT

10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiersLowpowerloss,highefficiency

文件：224.39 Kbytes Page：3 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
MBR10H100CT

10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers

文件：595.5 Kbytes Page：2 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
MBR10H100CT_V01

DualCommonCathodeHighVoltageSchottkyRectifier

FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C(forTO-263ABpackage)

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
MBR10H100CT-E3/45

DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier

DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •H

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
MBR10H100CTG

SWITCHMODEPowerRectifier100V,10A

FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage:0.61V@125°C •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •10ATotal(5.0APerDiodeLeg) •Guard−RingforStressProtection •Pb−FreePackageisAvailable Applications •PowerSupply−Outp

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MBR10H100CTHE3/45

DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier

DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •H

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
MBR10H100CT_10

10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers

文件：595.5 Kbytes Page：2 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
MBR10H100CT_11

10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers

文件：195.43 Kbytes Page：2 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
MBR10H100CT_13

10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiersLowpowerloss,highefficiency

文件：224.39 Kbytes Page：3 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
MBR10H100CT_14

DualCommonCathodeSchottkyRectifier

文件：207.43 Kbytes Page：4 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
MBR10H100CTC0

DualCommonCathodeSchottkyRectifier

文件：207.43 Kbytes Page：4 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
MBR10H100CTC0G

DualCommonCathodeSchottkyRectifier

文件：207.43 Kbytes Page：4 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
MBR10H100CTHC0

DualCommonCathodeSchottkyRectifier

文件：207.43 Kbytes Page：4 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
CP10H100S

10ASurfaceMountTrenchSchottkyRectifier

文件：473.96 Kbytes Page：3 Pages

GMR10H100C

HIGHVOLTAGEPOWERSCHOTTKYRECTIFIER

文件：134.12 Kbytes Page：6 Pages

GAMMA

GAMMA electronics

GAMMA
GMR10H100C

10ASCHOTTKYRECTIFIER

文件：110.87 Kbytes Page：6 Pages

GAMMA

GAMMA electronics

GAMMA
GMR10H100C

HIGHVOLTAGEPOWERSCHOTTKYRECTIFIER

文件：120.32 Kbytes Page：6 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC1
IMBR10H100C

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

文件：278.5 Kbytes Page：5 Pages

RECTRONRECTRON LTD

瑞创深圳市瑞创科技有限公司

RECTRON

MBR10H100CT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MBR10H100CT

  • 功能描述

    肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt Dual

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压

    2 V

  • 正向连续电流

    50 mA

  • 配置

    Crossover Quad

  • 正向电压下降

    370 mV

  • 最大功率耗散

    75 mW

  • 工作温度范围

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-143

  • 封装

    Reel

MBR10H100CT供应商更多...

更新时间：2024-5-9 22:57:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市环球伟业电子有限公司
MBR10H100CT
ON/ON Semiconductor/安森美/安
21+
TO-220
450
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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MBR10H100CT
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TO-220
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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MBR10H100CT
ON/安森美
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NA
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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MBR10H100CT
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TO-220-3
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MBR10H100CT
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2020+
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35000
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深圳市得捷芯城科技有限公司
MBR10H100CT
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深圳市维尔达电子有限公司
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一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
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深圳市科恒伟业电子有限公司
MBR10H100CT
ON/安森美
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TO-220AB
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深圳市吉铭电子科技有限公司
MBR10H100CT
ON Semiconductor
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TO220AB
610880
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深圳市振宏微科技有限公司
MBR10H100CT
ON(安森美)
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8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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