型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MB84VD22183EH

32M(x8/x16)FLASHMEMORY&4M(x8/x16)STATICRAM

■FEATURES •Powersupplyvoltageof2.7Vto3.3V •Highperformance 90nsmaximumaccesstime(Flash) 85nsmaximumaccesstime(SRAM) •OperatingTemperature –25°Cto+85°C •Package71-ballBGA 1.FLASHMEMORY •SimultaneousRead/Writeoperations(dualbank) Multiple

FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha

富士通富士通株式会社

Fujitsu

32M(x8/x16)FLASHMEMORY&4M(x8/x16)STATICRAM

■FEATURES •Powersupplyvoltageof2.7Vto3.3V •Highperformance 90nsmaximumaccesstime(Flash) 85nsmaximumaccesstime(SRAM) •OperatingTemperature –25°Cto+85°C •Package71-ballBGA 1.FLASHMEMORY •SimultaneousRead/Writeoperations(dualbank) Multiple

FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha

富士通富士通株式会社

Fujitsu

32M(x8/x16)FLASHMEMORY&4M(x8/x16)STATICRAM

■FEATURES •Powersupplyvoltageof2.7Vto3.3V •Highperformance 90nsmaximumaccesstime(Flash) 85nsmaximumaccesstime(SRAM) •OperatingTemperature –25°Cto+85°C •Package71-ballBGA 1.FLASHMEMORY •SimultaneousRead/Writeoperations(dualbank) Multiple

FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha

富士通富士通株式会社

Fujitsu

32M(x8/x16)FLASHMEMORY&4M(x8/x16)STATICRAM

■FEATURES •Powersupplyvoltageof2.7to3.3V •Highperformance 90nsmaximumaccesstime(Flash) 85nsmaximumaccesstime(SRAM) •OperatingTemperature –25to+85°C •Package73-ballBGA 1.FLASHMEMORY •SimultaneousRead/Writeoperations(dualbank) Miltipledevi

FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha

富士通富士通株式会社

Fujitsu

32M(x8/x16)FLASHMEMORY&4M(x8/x16)STATICRAM

■FEATURES •Powersupplyvoltageof2.7to3.3V •Highperformance 90nsmaximumaccesstime(Flash) 85nsmaximumaccesstime(SRAM) •OperatingTemperature –25to+85°C •Package73-ballBGA 1.FLASHMEMORY •SimultaneousRead/Writeoperations(dualbank) Miltipledevi

FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha

富士通富士通株式会社

Fujitsu

32M(x8/x16)FLASHMEMORY&4M(x8/x16)STATICRAM

■FEATURES •Powersupplyvoltageof2.7Vto3.3V •Highperformance 90nsmaximumaccesstime(Flash) 85nsmaximumaccesstime(SRAM) •OperatingTemperature –25°Cto+85°C •Package71-ballBGA 1.FLASHMEMORY •SimultaneousRead/Writeoperations(dualbank) Multiple

FujitsuFujitsū Kabushiki-gaisha

富士通富士通株式会社

Fujitsu

MB84VD22183EH产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MB84VD22183EH

  • 制造商

    FUJITSU

  • 制造商全称

    Fujitsu Component Limited.

  • 功能描述

    32M(x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M(x 8/x16) STATIC RAM

更新时间:2024-6-6 11:27:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI
1822+
BGA
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
FUJITSU/富士通
22+
BGA
3000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
CYPRESS
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
MITSUBISHI/三菱
2021+
BGA
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
MITSUBISHI/三菱
23+
BGA
50000
全新原装正品现货,支持订货
MITSUBISHI/三菱
23+
NA/
3589
原装现货,当天可交货,原型号开票
MITSUBISHI/三菱
23+
BGA
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
KOREA
23+
BGA
6680
全新原装优势
CYPRESS/赛普拉斯
0226
MCP/32MF+4MS/BGA/Leaded
229
原装香港现货真实库存。低价
MITSUBISHI/三菱
23+
BGA
89630
当天发货全新原装现货

MB84VD22183EH芯片相关品牌

  • ANALOGICTECH
  • ASTRODYNE
  • CT
  • DSK
  • EIC
  • EMCORE
  • MTRONPTI
  • NTE
  • P-TEC
  • SLPOWER
  • TALEMA
  • Yamaha

MB84VD22183EH数据表相关新闻

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    进口代理

    2023-10-18
  • MB85RC04VPNF-G-JNERE1

    MB85RC04VPNF-G-JNERE1

    2022-9-13
  • MB8464A-10L

    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13
  • MB85R2001PFTN-GE1进口原装,公司现货

    MB85R2001PFTN-GE1 进口原装,公司现货

    2020-10-15
  • MB6S

    属性参数值 商品目录整流桥 反向峰值电压600V 平均整流电流(Io)500mA 正向压降(Vf)1V@500mA

    2020-9-4
  • MB3891-电源管理IC的GSM移动电话

    描述MB3891是拟用于未来的GSM手机,双频手机和双模手机。它包含所有必要的功能,以支持这些手机的所有数字,模拟和RF模块。电荷泵包括一个逻辑电平转换电路内置于支持SIM卡的两个3和5伏技术(智能卡)。该电路包含一个可充电的锂实时时钟钮扣电池充电器。一个复杂的控制电路是建立在主复位生成并打开和关闭不同的LDO的。...特征•电源电压范围:3V至5.5V•低功耗待机电流:400毫安(最大)•6通道低饱和电压型系列稳压器:2.1V/2号通道,2.8V/3号通

    2013-2-12