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120W,1.8-2.3GHz,GaNHEMTforWCDMA,LTE,WiMAX

Description Wolfspeed'sCGH21120Fisagalliumnitride(GaN)high electronmobilitytransistor(HEMT)designedspecificallyfor highefficiency,highgainandwidebandwidthcapabilities, whichmakestheCGH21120Fidealfor1.8-2.3GHzWCDMA andLTEamplifierapplications.Thetransistoriss

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED

INTEGRATEDCIRCUITS

[SANYO] INTEGRATEDCIRCUITS GateArrays(monolithicICs)

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC1

120W,1800-2300MHz,GaNHEMTforWCDMA,LTE,WiMAX

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CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree

120W,1800-2300MHz,GaNHEMTforWCDMA,LTE,WiMAX

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CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree

120W,1800-2300MHz,GaNHEMTforWCDMA,LTE,WiMAX

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CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree

MA21120JBN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MA21120JBN

  • 功能描述

    专用陶瓷电容器 HF CHIP

  • RoHS

  • 制造商

    Panasonic Electronic Components

  • 电容

    470 pF

  • 容差

    10 %

  • 电压额定值

    250 VAC

  • 工作温度范围

    - 25 C to + 125 C

  • 端接类型

    SMD/SMT 外壳代码 -

  • in

    外壳代码 -

更新时间:2024-6-6 15:07:02
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Wolfspeed, Inc.
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