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L6399	Highvoltagehighandlow-sidedriver Features Highvoltagerailupto600V dV/dtimmunity±50V/nsoverfulltemperature range Drivercurrentcapability: –290mAsource –430mAsink Switchingtimes75/35nsrise/fallwith1nFload 3.3V,5VTTL/CMOSinputswithhysteresis Integratedbootstrapdiode Inter	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6399D	Highvoltagehighandlow-sidedriver Features Highvoltagerailupto600V dV/dtimmunity±50V/nsoverfulltemperature range Drivercurrentcapability: –290mAsource –430mAsink Switchingtimes75/35nsrise/fallwith1nFload 3.3V,5VTTL/CMOSinputswithhysteresis Integratedbootstrapdiode Inter	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6399DTR	Highvoltagehighandlow-sidedriver Features Highvoltagerailupto600V dV/dtimmunity±50V/nsoverfulltemperature range Drivercurrentcapability: –290mAsource –430mAsink Switchingtimes75/35nsrise/fallwith1nFload 3.3V,5VTTL/CMOSinputswithhysteresis Integratedbootstrapdiode Inter	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6399D	封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：卷带（TR）描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 集成电路（IC）栅极驱动器	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
L6399DTR	封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：管件描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 集成电路（IC）栅极驱动器	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
6399BG	Channelstyleheatsinkwithfoldedbackfins Channelstyleheatsinkwithfoldedbackfinsforincreasedcoolingsurfacearea.Availablewithtinplatedsolderabletabsforeasyattachmenttotheprintedcircuitcard.	AAVIDAavid Thermalloy, LLC 爱美达（上海）爱美达（上海）热能系统有限公司
6399	CUSTOMERPRODUCTSPECIFICATION 文件：80.49 Kbytes Page：2 Pages	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
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更新时间：2024-6-6 22:59:00

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