LowFrequencyAmplifierMediumSpeedSwitching

Features •Lowfrequencyamplifiermediumspeedswitching. •HighCollector-BaseVoltage:VCBO=80V. •CollectorCurrent:IC=700mA •CollectorPowerDissipation:PC=800mW •Suffix“-C”meansCenterCollector(1.Emitter2.Collector3.Base) •Nonsuffix“-C”meansSideCollector

NPNEpitacialSiliconTransistor

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封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 包装：散装 描述：TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

NPNEpitacialSiliconTransistor

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封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 包装：散装 描述：TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

QUICK-FITTERMINALS

[KEYSTONE] AVAILABLEINBRASSORSTEELTABS •Idealforruggedmulti-insertionapplications •Pre-assembledheaderreducesPCassemblycosts •IncreasesPCboardretentionstrength •Keepsterminalsperpendicular •Maintainspositionforwavesoldering

WireWound

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RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifier

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PRITRANSFORMERSReinforcedInsulation

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RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers

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