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KHB9D5N20F

N-Channel200V(D-S)MOSFET

文件:2.38412 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=200V,ID=9.5A •Drain-

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KEC

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=200V,ID=9.5A •Drain-

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KEC

KHB9D5N20F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    KHB9D5N20F

  • 制造商

    KEC

  • 制造商全称

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述

    N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2024-5-24 11:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi(台湾微碧)
2112+
TO-220F
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KEC
21+
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