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位置：首页 > IC中文资料第6511页 > K4H510838G-LC/LCC

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
K4H510838G-LC/LCC

512MbG-dieDDRSDRAMSpecification

GeneralDescription TheK4H510438G/K4H510838G/K4H511638Gis536,870,912bitsofdoubledataratesynchronousDRAMorganizedas4x33,554,432/4x16,777,216/4x8,388,608wordsby4/8/16bits,fabricatedwithSAMSUNG′shighperformanceCMOStechnology.SynchronousfeatureswithDataStrobeal

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung
K4H510838B-TC/LCC

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification

KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Differentialcl

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三星三星半导体

Samsung
K4H510838B-UC/LCC

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification

KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Differentialcl

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三星三星半导体

Samsung
K4H510838B-GC/LCC

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification

文件：392.89 Kbytes Page：24 Pages

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三星三星半导体

Samsung
K4H510838B-N

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification54sTSOP-II(400milx441mil)

文件：353.57 Kbytes Page：24 Pages

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三星三星半导体

Samsung
K4H510838B-NC/LCC

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification54sTSOP-II(400milx441mil)

文件：353.57 Kbytes Page：24 Pages

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三星三星半导体

Samsung

K4H510838G-LC/LCC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4H510838G-LC/LCC

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    512Mb G-die DDR SDRAM Specification

K4H510838G-LC/LCC供应商更多...

更新时间：2024-6-4 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
K4H510838G-LCCC
SAMSUNG
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K4H510838G-LCCC
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K4H510838G-LCB3
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K4H510838G-LCCC
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350000
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
K4H510838G-LCB3
SAMSUNG/三星
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TSSOP66
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千层芯半导体(深圳)有限公司
K4H510838G-LCCC
SAMSUNG
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8000
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深圳市维尔达电子有限公司
K4H510838G-LCB3
SAMSUNG
2023+
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80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
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