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K4B4G1646B-HCH9

4GbB-dieDDR3SDRAMOlnyx16

The4GbDDR3SDRAMB-dieisorganizedasa32Mbitx16I/Osx8banks,device.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddouble-data-ratetransferratesofupto2133Mb/sec/pin(DDR3-2133)forgeneralapplications. KeyFeatures •JEDECstandard1.5V(1.425V~1.575V) •VDDQ=1.5V(1.425V~1.575V)

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung

K4B4G1646B-HCH9产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4B4G1646B-HCH9

  • 制造商

    Samsung Semiconductor

更新时间:2024-6-6 17:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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