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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Fastreverserecoverytime:trr=130ns(typ.) (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.08Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (3)EasytocontrolGateswitching (4)Enhancementmode:Vth=3to4.5V(VDS=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

IscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:445.45 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-4 22:30:01
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东芝
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