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K12A60W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS??

Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.265Ω(typ.)byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.6mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

INNERINSULATEDTYPETRIAC(IITO-220PACKAGE)

GeneralDescription TheTriacHBTA8A60issuitableforACswitchingapplication,phasecontrolapplicationsuchasheatercontrol,motorcontrol,lightingcontrol,andstaticswitchingrelay. Features *RepetitivePeakOff-StateVoltage:600V *R.M.SOn-stateCurrent(IT(RMS)=12A) *HighCommu

HuashanHuashan Electronic Devices Co

华汕电子器件

Huashan

12.0AmpereCommonAnodeFastRecoveryRectifierDiodes

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THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体思祁半导体有限公司

THINKISEMI

12AmpTriacFTC16A60Non-InsulatedPack

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FCI

Amphenol ICC

FCI

MECHANICALDIMENSION

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FCI

Amphenol ICC

FCI

INSULATEDTYPETRIAC(TO-220FPACKAGE)

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HuashanHuashan Electronic Devices Co

华汕电子器件

Huashan
更新时间:2024-5-31 17:35:00
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