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2.5AMPSFASTRECOVERYRECTIFIERCHIP50-150VOLTS

FEATURES: •ChipOutlineDimensions:41x41mils •ChipThickness:8to12mils •AnodeMetallization:Aluminum •MetallizationThickness:50,000ÃNominal •BondingArea:23x23milsMin. •BackMetallization:Gold •JunctionPassivatedwithThermalSiliconDioxide-PlanarDesign •Back

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

HERMETICAXIAL/MELFLEADRECTIFIER

UltrafastRecoveryRectifier •Hermetic,non-cavityglasspackage •Metallurgicallybonded •OperatingandStorageTemperature:-65°Cto+175°C

SENSITRON

Sensitron

SENSITRON

RECTIFIER,upto150V,2.5A,25ns

AXIALLEADEDHERMETICALLYSEALEDSUPERFASTRECTIFIERDIODE •Verylowrevserserecoverytime •HermeticalsealedinMetoxilitefusedmetaloxide •Lowswichinglosses •Soft,non-snapoff,recoverycharacteristics •Verylowforwardvoltagedrop

SEMTECH

Semtech Corporation

SEMTECH

UltrafastRecoveryRectifier

UltrafastRecoveryRectifier •Hermetic,non-cavityglasspackage •Metallurgicallybonded •OperatingandStorageTemperature:-65°Cto+175°C

SENSITRON

Sensitron

SENSITRON

ULTRAFASTMILITARYRECTIFIERS

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MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
更新时间:2024-6-14 22:59:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICROCHIP(美国微芯)
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SSI
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NA
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