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JANTXV1N5802URS	封装/外壳：SQ-MELF，A 包装：卷带（TR）描述：DIODE GEN PURP 50V 1A APKG 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
1N5802	2.5AMPSFASTRECOVERYRECTIFIERCHIP50-150VOLTS FEATURES: •ChipOutlineDimensions:41x41mils •ChipThickness:8to12mils •AnodeMetallization:Aluminum •MetallizationThickness:50,000ÃNominal •BondingArea:23x23milsMin. •BackMetallization:Gold •JunctionPassivatedwithThermalSiliconDioxide-PlanarDesign •Back	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N5802	MILITARYAPPROVEDHIGHEFFICIENCY2.5AMPAND6.0AMP DESCRIPTION This“ultrafastrecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/477andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.5Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsare	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N5802	MILITARYAPPROVED,HIGHEFFICIENCY,2.5AMPAND6.0AMP DESCRIPTION This“ultrafastrecovery”rectifierdiodeseriesismilitaryqualifiedtoMIL-PRF-19500/477andisidealforhigh-reliabilityapplicationswhereafailurecannotbetolerated.Theseindustry-recognized2.5Ampratedrectifiersforworkingpeakreversevoltagesfrom50to150voltsare	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N5802	RECTIFIER,upto150V,2.5A,25ns AXIALLEADEDHERMETICALLYSEALEDSUPERFASTRECTIFIERDIODE •Verylowrevserserecoverytime •HermeticalsealedinMetoxilitefusedmetaloxide •Lowswichinglosses •Soft,non-snapoff,recoverycharacteristics •Verylowforwardvoltagedrop	SEMTECH Semtech Corporation
1N5802	ULTRAFASTMILITARYRECTIFIERS 文件：53.36 Kbytes Page：2 Pages	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司

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更新时间：2024-6-3 16:43:00

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2021-5-13
JANTXV1N4135-1 Microchip 稳压二极管
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