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IXA70I1200NA中文资料
IXA70I1200NA产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXA70I1200NA
- 功能描述
IGBT 模块 XPT Single IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间:2024-4-27 14:14:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
SOT-227-4,miniBLOC |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
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IXYS |
23+ |
Module |
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原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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IXYS |
23+ |
DIP18 |
6000 |
15年原装正品企业 |
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IXYS |
18+ |
NA |
3101 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
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IXYS |
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IXYS |
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MODULE |
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SOT-227 |
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IXYS |
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- YSESD3Z12BT1G
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