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IXA55I1200HJ中文资料
IXA55I1200HJ产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXA55I1200HJ
- 功能描述
IGBT 晶体管 XPT 1200V 84A Single IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间:2024-5-1 10:12:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS |
23+ |
TO-247-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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IXYS |
23+ |
DIP18 |
6000 |
15年原装正品企业 |
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IXYS |
18+ |
NA |
3332 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
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IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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IXYS |
1809+ |
TO-247 |
326 |
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IXYS |
21+ |
KM/SOD-123F |
21000 |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
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IXYS |
22+ |
NA |
18 |
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IXYS |
22+ |
ISOPLUS247? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
23+ |
ISOPLUS247? |
9000 |
原装正品,支持实单 |
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IXYS |
24+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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