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IXTP36N20T

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelEnhancementMode

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IXTP36N20T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXTP36N20T

  • 功能描述

    MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-14 17:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
23+
TO-220
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价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询
renesas
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