IXTA1N100参数引脚图无锡固电批发采购价格ISC-IC资料网

您好,欢迎来到114ic资料网！

114ic电子网登录注册

芯片资料

芯片资料
库存查询
行业新闻
生产厂家
替换型号
晶体管

型号	功能描述	生产厂家&企业
IXTA1N100	HighVoltageMOSFET HighVoltageMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheEnergyRated Features •Internationalstandardpackages •Highvoltage,LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Fastswitchingtimes Applications •Switch-modeandresonant-modepowersupplies •Flyb	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTA1N100	iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：299.15 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTA1N100P	PolarPowerMOSFET PolarPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity Applications	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTA1N100P	IscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：315.15 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
1N100	MEDIUMANDLOWVOLTAGEGERMANIUMDIODES MEDIUMANDLOWVOLTAGEGERMANIUMDIODES	AMMSEMI American Microsemiconductor
1N100	GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE [BKCInternationalElectronicsInc.] GOLDBONDEDDIODES	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
1N100	OptimizedforRadioFrequencyResponse OptimizedforRadioFrequencyResponse CanbeusedinmanyAM,FMandTV-IFapplications,replacingpointcontactdevices. Features ●Lowerleakagecurrent ●Flatjunctioncapacitance ●Highmechanicalstrength ●Atleast1millionhoursMTBF ●BKCsSigma-Bond™platingforproblemfreesold	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N100	GOLDBONDEDDIODES [VMI] 200V-1,000VSinglePhaseBridge 22.0A-25.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
1N100A	OptimizedforRadioFrequencyResponse OptimizedforRadioFrequencyResponse CanbeusedinmanyAM,FMandTV-IFapplications,replacingpointcontactdevices. Features ●Lowerleakagecurrent ●Flatjunctioncapacitance ●Highmechanicalstrength ●Atleast1millionhoursMTBF ●BKCsSigma-Bond™platingforproblemfreesold	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司

IXTA1N100产品属性

类型
描述
型号
IXTA1N100
功能描述
MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

IXTA1N100供应商更多...

更新时间：2024-5-9 18:20:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	IXTA1N100	IXYS(艾赛斯)	23+	N/A	7500	IXYS(艾赛斯)全系列在售	询价
深圳兆威电子有限公司	IXTA1N100	IXYS	20+	TO-263-3	90000	全新原装正品/库存充足	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	IXTA1N100	IXYS/艾赛斯	23+	NA/	46250	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	IXTA1N100P-TRL	Littelfuse/IXYS	23+	TO-263	8357	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXTA1N100	IXYS	2020+	TO-263	16800	绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IXTA1N100	IXYS/艾赛斯	23+	TO-263	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	IXTA1N100	IXYS/艾赛斯		TO-263	265209	假一罚十原包原标签常备现货!	询价
深圳市惊羽科技有限公司	IXTA1N100	IXYS-艾赛斯	24+25+/26+27+	TO-263-3	6328	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXTA1N100	IXYS	22+	TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	IXTA1N100	IXYS	08+(pbfree)	TO-263	8866		询价

IXTA1N100芯片相关品牌

IXTA1N100规格书下载地址

IXTA1N100参数引脚图相关

IXTA1N100数据表相关新闻

IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
2022-8-31
IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
2022-8-11
IXOLAR?高效25％SolarMD模块SM111K04L
IXYS/Littelfuse的SolarMD模块非常适合为许多类型的电池供电或绿色电力产品充电
2019-9-17
IXOLAR?高效25％SolarBIT太阳能电池KXOB25-12X1F
IXYS/Littelfuse的SolarBIT非常适合为许多类型的电池供电的电网产品充电
2019-9-17
IXTA3N120承诺百分之百原装
瀚佳科技：专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
IXPD610-工业控制IC
IXDP610数字脉宽调制器（DPWM）是一个可编程CMOSLSI器件接收数字从一个微处理器的脉冲宽度数据并生成两个相辅相成的，非重叠，脉冲宽度调制直接数字控制信号开关电源的桥梁。DPWM是根据操作直接控制的微处理器和与大多数标准的接口，轻松微处理器和微型计算机巴士。IXDP610封装在18引脚超薄的DP。所产生的PWM波形IXDP610从比较的结果输出的脉冲宽度计数器在脉冲宽度存储的电话号码锁存（见下文）。一个可编程“死时间”已被纳入PWM波形。死区时间逻辑禁用在每两个输出比较器输出的过渡所需的死区时间间隔。输出级提供互补PWM输出信号的能力下沉和采购20毫安的TTL电压水平。输出禁用
2012-11-29

您好,欢迎来到114ic资料网！

IXTA1N100产品属性

IXTA1N100供应商更多...

IXTA1N100芯片相关品牌

IXTA1N100规格书下载地址

IXTA1N100参数引脚图相关

IXTA1N100数据表相关新闻

IXTH60N20X4

IXTH60N20X4

IXOLAR?高效25％SolarMD模块SM111K04L

IXOLAR?高效25％SolarBIT太阳能电池KXOB25-12X1F

IXTA3N120承诺百分之百原装

IXPD610-工业控制IC

DdatasheetPDF页码索引