位置：首页 > IC中文资料第382页 > IXFH22N55
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXFH22N55 | HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvlancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-247AD •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance( | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |  |   |
IXFH22N55 | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.27Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC- | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
IXFH22N55产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFH22N55
- 功能描述
MOSFET 550V 22A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
21+ |
TO2473 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-3P |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-3P |
5000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
IXYS/艾赛斯 |
2022 |
TO-247 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
IXYS |
1822+ |
TO-247 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
IXYS |
17+ |
TO-3P |
6200 |
||||
IXYS |
08+(pbfree) |
TO-247 |
8866 |
||||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
12300 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
2021+ |
TO-3P |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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IXFH22N55规格书下载地址
IXFH22N55参数引脚图相关
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2023-2-14IXFH46N65X2
进口代理
2022-9-1IXFH34N65X2深圳市光华微科技有限公司18138231376
代理渠道供应全新原装IXFH34N65X2-IXYS场效应管
2020-4-17IXDN402SI-16全新原装现货
可立即发货
2019-9-24
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