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IXDN75N120价格
参考价格：￥154.0174
型号：IXDN75N120 品牌：IXYS 备注：这里有IXDN75N120多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXDN75N120批发/采购报价，IXDN75N120行情走势销售排行榜，IXDN75N120报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXDN75N120 | HighVoltageIGBT ShortCircuitSOACapability SquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●Internationalsta | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |  |   |
IXDN75N120 | HighVoltageIGBT DESCRIPTION ·Spacesavings ·HighPowerDensity ·LowSwitchingLosses APPLICATIONS ·DCservoandrobotdrives ·DCchoppers ·UPS ·ACmotorspeedcontrol | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
IXDN75N120 | 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC 包装：管件 描述：IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | |
IXDN75N120 | HighVoltageIGBT 文件：73.29 Kbytes Page：4 Pages | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | |
IXDN75N120产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXDN75N120
- 功能描述
IGBT 晶体管 75 Amps 1200V
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
2020 |
NA |
100 |
全新原装!优势库存热卖中! |
|||
IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
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IXYS |
21+ |
模块 |
12588 |
原装正品,一级品牌代理 |
|||
IXYS |
2023+ |
功率模块 |
50000 |
原装现货 |
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IXYS |
22+ |
SOT227B |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
18+ |
2173 |
公司大量全新正品 随时可以发货 |
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IXYS |
1931+ |
N/A |
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IXYS |
23+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
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IXYS/艾赛斯 |
22+ |
NA |
1120 |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
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IXYS |
22+ |
SOT227 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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2022-9-1IXDD614YI
IXDD614YI，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-16IXFH34N65X2深圳市光华微科技有限公司18138231376
代理渠道供应全新原装IXFH34N65X2-IXYS场效应管
2020-4-17IXDN402SI-16全新原装现货
可立即发货
2019-9-24
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