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IXDH35N60B价格
参考价格：￥27.8690
型号：IXDH35N60BD1 品牌：Ixys 备注：这里有IXDH35N60B多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IXDH35N60B批发/采购报价，IXDH35N60B行情走势销售排行榜，IXDH35N60B报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IXDH35N60B | IGBTwithoptionalDiode HighSpeed,LowSaturationVoltage Features ●NPTIGBTtechnology ●lowswitchinglosses ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●optionalultrafastdiode ●Internationalstandard | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |  |   |
IXDH35N60B | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 60A 250W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | |
IGBTwithoptionalDiode HighSpeed,LowSaturationVoltage Features ●NPTIGBTtechnology ●lowswitchinglosses ●lowtailcurrent ●nolatchup ●shortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●MOSinput,voltagecontrolled ●optionalultrafastdiode ●Internationalstandard | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 60A 250W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | | |
DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | | |
600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET™isFarichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance. Features •650V@TJ=150°C •Typ.RDS(on)=0.079Ω •Ultralow | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
35A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor 文件：851.66 Kbytes Page：5 Pages | YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司 |  | | |
N-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：260.05 Kbytes Page：4 Pages | DACO DACO |  | | |
N-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：243.21 Kbytes Page：4 Pages | DACO DACO | | |
IXDH35N60B产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXDH35N60B
- 功能描述
IGBT 晶体管 35 Amps 600V
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
18+ |
TO-247 |
2050 |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO247 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
8600 |
全新原装现货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
6328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
IXYS |
22+ |
TO247AD (IXDH) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IXYS |
08+(pbfree) |
TO-247 |
8866 |
||||
IXYS |
23+ |
DIP18 |
6000 |
15年原装正品企业 |
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IXDH35N60B规格书下载地址
IXDH35N60B参数引脚图相关
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- ku波段
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2022-5-27IXDD614YI
IXDD614YI，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-16IXDN402SI-16全新原装现货
可立即发货
2019-9-24
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