位置:首页 > IC中文资料第6754页 > IXDH20N120D1
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IXDH20N120D1 | HighVoltageIGBTwithoptionalDiode HighVoltageIGBTwithoptionalDiode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientfor easyparalleling ●MOSinpu | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | ||
IXDH20N120D1 | 封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 38A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | ||
NPT3IGBTinISOPLUS247 文件:364.02 Kbytes Page:4 Pages | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |
IXDH20N120D1产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXDH20N120D1
- 功能描述
IGBT 晶体管 20 Amps 1200V
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
23+ |
N/A |
36100 |
正品授权货源可靠 |
||||
IXYS艾赛斯中高压MOS管 |
22+21+ |
TO-247 |
3000 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
IXYS |
19+ |
TO-247AD |
56800 |
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票! |
|||
IXYS |
23+ |
TO247AD |
9000 |
原装正品,支持实单 |
|||
IXYS |
2023+ |
TO-247 |
16800 |
芯为只有原装,公司现货 |
|||
IXYS |
2020+ |
TO-247 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-3P |
8900 |
英瑞芯只做原装正品!!! |
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IXYS |
24+ |
TO-247 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-3P |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
IXDH20N120D1规格书下载地址
IXDH20N120D1参数引脚图相关
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- l101
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- ku波段
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- kse13005
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- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- IXFH350
- IXFH250
- IXFH150
- IXDS430
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- IXDP630
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2022-5-27IXDD614YI
IXDD614YI,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-16IXDN402SI-16全新原装现货
可立即发货
2019-9-24
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