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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
AM04N65	MOSFET650V,4AN-CHANNEL FEATURE •RDS(ON),typ.=2.1Ω@VGS=10V •HighCurrentRating •LowerCapacitance •LowerTotalGateChargeMinimizeSwitchingLoss •FastRecoveryBodyDiode DESCRIPTION TheAM04N65isavailableinTO220FPackage. APPLICATION •Adaptor •Charger •SMPSStandbyPower	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創瑞科技AiT創瑞科技
CEB04N65	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB04N65A	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED04N65	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,3.2A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
04N65	N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.97664 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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更新时间：2024-10-31 22:58:01

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2020-10-13
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2020-8-31
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