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ISL6594A	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures 文件：247.9 Kbytes Page：10 Pages	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
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AM6594	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION AM6594istheN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperior,fastswitchingperformance,andwithstandhighenergypulseintheavalanc	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
AON6594	30VN-ChannelAlphaMOS 文件：363.84 Kbytes Page：6 Pages	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
CM6594R	4-WindingSurfaceMountTransformers 文件：1.46364 Mbytes Page：1 Pages	API API Delevan Inc.

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更新时间：2024-6-3 17:13:01

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先进的同步整流双降压MOSFET驱动器与保护特点ISL6613的ISL6614集成了两个MOSFET驱动器，专门用来驱动两个独立的电源在多相位交错式降压转换器通道拓扑。与HIP63xx或ISL65xx结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET的形式完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。在上下两个闸驱动器ISL6614同时在一个范围从5V至12V。这drivevoltage提供必要的灵活性，以优化栅极电荷和应用之间涉及权衡传导损耗。一种先进的自适应零直通保护同时整合，以防止上下的MOSFET从同时进行，并尽量减少死人时间
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同步整流MOSFET驱动器该ISL6596是高频MOSFET驱动器优化在同步驱动两个N沟道功率MOSFET降压转换器。与Intersil的结合此驱动程序多相降压PWM控制器，形成一个完整的单级核心电压，高效率稳压器解决方案在高开关频率性能先进微处理器。该IC是由一个单一的低偏置电压（5V时），尽量减少开关损耗高驱动MOSFET栅极电容和高开关频率的应用。每个驱动器是驾驶不到第三范式负载的能力10ns的上升/下降时间。上层栅极驱动器自举是通过实施内部低正向压降二极管，降低实施成本，复杂性，并允许使用性能更高，成本效益的N沟道的MOSFET。自适应击穿保护集成为了防止同时进行
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2013-3-1

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