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IS61NLF51236-6.5B3I	封装/外壳：165-TBGA 包装：托盘描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA 集成电路（IC）存储器	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61NLF51236-6.5B3I-TR	封装/外壳：165-TBGA 包装：卷带（TR）描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA 集成电路（IC）存储器	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61NLF51236-6.5TQ	256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,FLOWTHROUGH(NOWAIT)STATEBUSSRAM 文件：251.56 Kbytes Page：35 Pages	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61NLF51236-6.5TQI	256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,FLOWTHROUGH(NOWAIT)STATEBUSSRAM 文件：251.56 Kbytes Page：35 Pages	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61NLF51236-7.5B3	256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,FLOWTHROUGH(NOWAIT)STATEBUSSRAM 文件：251.56 Kbytes Page：35 Pages	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61NLF51236-7.5B3I	256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,FLOWTHROUGH(NOWAIT)STATEBUSSRAM 文件：251.56 Kbytes Page：35 Pages	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61NLF51236-7.5TQ	256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,FLOWTHROUGH(NOWAIT)STATEBUSSRAM 文件：251.56 Kbytes Page：35 Pages	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61NLF51236-7.5TQI	256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,FLOWTHROUGH(NOWAIT)STATEBUSSRAM 文件：251.56 Kbytes Page：35 Pages	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
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IS61NLF51236产品属性

类型
描述
型号
IS61NLF51236
功能描述
静态随机存取存储器 18Mb,No-Wait/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,3.3v/2.5v - I/O,165 Ball BGA
RoHS
否
制造商
Cypress Semiconductor
存储容量
16 Mbit
组织
1 M x 16
访问时间
55 ns
电源电压-最大
3.6 V
电源电压-最小
2.2 V
最大工作电流
22 uA
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
TSOP-48
封装
Tray

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更新时间：2024-6-2 22:59:00

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2021-7-7
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产品属性属性值搜索类似制造商:ISSI 产品种类:静态随机存取存储器存储容量:4Mbit 访问时间:8.5ns 最大时钟频率:90MHz 电源电压-最大:3.63V 电源电压-最小:3.135V 电源电流—最大值:230mA 最小工作温度:0C 最大工作温度:+70C 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:TQFP-100 数
2020-7-13
IS61SF12832-8.5TQ
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瀚佳科技(深圳）有限公司：专业销售集成电路IC.单片机.内存闪存.二三级管模块等电子元器件。
2018-12-30

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