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512Mx8,256Mx164GbDDR3SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

ISSI

512Mx8,256Mx164GbDDR3SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

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封装/外壳:96-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

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封装/外壳:96-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

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更新时间:2024-6-1 16:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI-矽成
24+25+/26+27+
BGA-96
2368
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
ISSI(美国芯成)
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TWBGA-96(9x13)
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ISSI Integrated Silicon Soluti
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96TWBGA (9x13)
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公司只售原装,支持实单
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BGA96
10800
专营ISSI进口原装正品现货假一赔十可开增票
ISSI, Integrated Silicon Solu
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96-TWBGA9x13
7300
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TWBGA-96(9x13)
315000
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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96TWBGA (9x13)
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原厂渠道,现货配单
ISSI
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SMD
15600
动态随机存取存储器4G
ISSI
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

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