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512Mx8,256Mx164GbDDR3SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

ISSI

512Mx8,256Mx164GbDDR3SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

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封装/外壳:96-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

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封装/外壳:96-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

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更新时间:2024-6-14 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
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