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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRLZ14L | Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextermelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
IRLZ14L | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
IRLZ14L | Power MOSFET 文件：317.61 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
Power MOSFET 文件：317.61 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
IRLZ14L产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRLZ14L
- 功能描述
MOSFET N-Chan 60V 10 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO-262 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
IR |
24+ |
TO-262 |
5000 |
全现原装公司现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-263 |
4569 |
专业优势供应 |
|||
IR |
2022 |
TO-262 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
IR |
TO-262 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
||||
IR |
23+ |
NA/ |
450 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
Vishay Siliconix |
23+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
21+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
05+ |
TO-262 |
550 |
全新原装 实单必成 |
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IRLZ14L参数引脚图相关
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- jk触发器
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- IRLW640ATM
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2020-7-16
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