IRGIB7B60KDPBF价格

参考价格:¥7.2015

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRGIB7B60KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerform

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封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 12A 39W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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IRGIB7B60KDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGIB7B60KDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Low-Vceon

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-26 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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NA/
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全新原装正品现货
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全新原装优势
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