IRGIB15B60KD1P价格

参考价格:¥13.9231

型号:IRGIB15B60KD1P 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有IRGIB15B60KD1P多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRGIB15B60KD1P批发/采购报价,IRGIB15B60KD1P行情走势销售排行榜,IRGIB15B60KD1P报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRGIB15B60KD1P

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureRatedat175°C •Lead-Free Benefits

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英飞凌英飞凌科技公司

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IRGIB15B60KD1P

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封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 19A 52W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureRatedat175°C Benefits •BenchmarkE

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IRGIB15B60KD1P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGIB15B60KD1P

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Low-Vceon

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-26 23:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
21+
TO-220
8800
公司只作原装正品
INFINEON/英飞凌
2020+
NA
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
Infineon(英飞凌)
23+
TO-220
942
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
INFINEON/英飞凌
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原装/可含税
IR
23+
NA/
9142
原装现货,当天可交货,原型号开票
IR
17+
TO-220
105
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON/IR
1907+
NA
1750
20年老字号,原装优势长期供货
Infineon
1931+
N/A
850
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物
IR
2016+
TO-220F
6528
房间原装进口现货假一赔十
Infineon(英飞凌)
23+
TO220
6000

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