型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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IRFInternational Rectifier

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IRF

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 22A 48W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(on)TrenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •5µsSCSOA •SquareRBSOA •100ofThePartsTestedforILM① •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •UltraFastSoftRecoveryCo-pakDiode •TighterDistributionofParameters •Lead-Free,RoHSCompliant •Aut

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

Clip-onWeldingShieldKit7990/7990-AMandElectronicLensAssembly7991/7991-AM

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3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M

DualChannelFunction/ArbitraryWaveformGenerators

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BKB&K Precision Corporation

B & k B & k 精密机械有限公司

BK

STM32F0DISCOVERYperipheralfirmwareexamples

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IRGI4062D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGI4062D

  • 功能描述

    IGBT ISOLATED TO-220AB

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2024-6-7 18:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
21+
TO220AB FullPak
13880
公司只售原装,支持实单
IR
23+
TO-220AB
6000
原装正品,支持实单
I&R
NA
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
IR
23+
TO-220AB
7750
全新原装优势
VISHAY-威世
24+25+/26+27+
TO-220-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
Infineon Technologies
22+
TO220AB FullPak
9000
原厂渠道,现货配单
2017+
TO220
6528
只做原装正品假一赔十!
IR
23+
TO-TO-220AB
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
IR
22+
TO-220AB
25000
只做原装进口现货,专注配单
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货

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