型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRGI4061DPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(on)TrenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •5µsSCSOA •SquareRBSOA •100ofThePartsTestedforILM •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •UltraFastSoftRecoveryCo-pakDiode •TighterDistributionofParameters •Lead-FreePackage Benefits •Hig

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRGI4061DPBF

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 20A 43W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

BATTERYMANAGEMENT500mA/1.5ASTANDALONELINEARLI-IONBATTERYCHARGE

DESCRIPTION TheA4061isasinglecell,fullyintegratedconstantcurrent(CC)/constantvoltage(CV)Li-ionbatterycharger.ItscompactpackagewithminimumexternalcomponentsrequirementmakestheA4061idealforportableapplications. Noexternalsenseresistororblockingdiodeisnecessary

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

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AITSEMI

ParticulateFilter7093,P100

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3MMinnesota Mining and Manufacturing

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3M

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TI1Texas Instruments(TI)

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TI1

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安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

FlybackTransformer

文件:170.15 Kbytes Page:1 Pages

COILCRAFTCoilcraft

线艺

COILCRAFT

IRGI4061DPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGI4061DPBF

  • 功能描述

    IGBT 600V 20A W/DIODE TO-220FP

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2024-6-14 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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TO220F
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22+
NA
2118
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Infineon/Infineon Technologies
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TO-220F
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INFINEON/英飞凌
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