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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IRGH4610DPBF | 包装:管件 描述:IGBT 600V 8PQFN 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | ||
HighQ,highself-resonantfrequency SpecialFeatures •HighQ,highself-resonant frequency •Highvoltageapplication •Singlelayeror3-piuniversal wound •Lowcost •Varnishcoated •Operatingtemperature: phenolic-55to+125°C iron&ferrite-55to+105°C •Currenttocause35°Cmaximum temperaturerise | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |||
Networks Material#4610M-LFSeries ProductLineNetworks | BournsBourns Inc. 伯恩斯(邦士) | |||
Networks 文件:61.83 Kbytes Page:1 Pages | BournsBourns Inc. 伯恩斯(邦士) | |||
VarnishedChokes 文件:108.28 Kbytes Page:1 Pages | BournsBourns Inc. 伯恩斯(邦士) | |||
HighQ,highself-resonantfrequency 文件:108.28 Kbytes Page:1 Pages | BournsBourns Inc. 伯恩斯(邦士) |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
23+ |
NA/ |
200 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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十年老店,原装正品 |
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Infineon |
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NA |
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IR |
2022 |
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80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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IRGH4610DPBF规格书下载地址
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2023-12-11IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-23IRG4PC50WPBF
属性参数值 商品目录IGBT管 集电极电流(Ic)(最大值)55A 集射极击穿电压(最大值)600V 类型- 不同Vge,Ic时的Vce(on)2.3V@15V,27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
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2019-5-8
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