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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A)

Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRGBC40M_S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGBC40M_S

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A)

更新时间:2024-6-1 21:09:00
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INTERNATIONALRECTIFIER
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