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IRGBC30K	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=14A) Introduction Thereliabilityreportisasummaryofthetestdatacollatedsincetheimplementationofthereliabilityprogramme.Thisreportwillbeperiodicallyupdatedtypicallyonaquarterlybasis.Futurepublicationsofthisreportwillalsoincludeasappropriateadditionalinformationto	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC30K	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC30KD2	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast CoPack IGBT Introduction Thereliabilityreportisasummaryofthetestdatacollatedsincetheimplementationofthereliabilityprogramme.Thisreportwillbeperiodicallyupdatedtypicallyonaquarterlybasis.Futurepublicationsofthisreportwillalsoincludeasappropriateadditionalinformationto	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRGBC30K-S	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=14A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahosto	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRGBC30K产品属性

类型
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型号
IRGBC30K
制造商
IRF
制造商全称
International Rectifier
功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=14A)

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更新时间：2024-6-7 9:35:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2021-11-23
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属性参数值商品目录IGBT管集电极电流（Ic）（最大值）55A 集射极击穿电压（最大值）600V 类型- 不同Vge，Ic时的Vce（on）2.3V@15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
2020-10-27
IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17
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