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IRGB4640DPBF	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode 文件：787.73 Kbytes Page：18 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IRGB4640DPBF	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：DIODE 600V 40A TO-220 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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AK4640VG	16-Bit?誇CODECwithMIC/HP/SPK-AMP 文件：648.73 Kbytes Page：78 Pages	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社

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更新时间：2024-6-7 16:35:00

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2021-11-23
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属性参数值商品目录IGBT管集电极电流（Ic）（最大值）55A 集射极击穿电压（最大值）600V 类型- 不同Vge，Ic时的Vce（on）2.3V@15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
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