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位置：首页 > IC中文资料第2750页 > IRGB4064DPBF

IRGB4064DPBF价格

参考价格：￥13.4615

型号：IRGB4064DPBF 品牌：International 备注：这里有IRGB4064DPBF多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRGB4064DPBF批发/采购报价，IRGB4064DPBF行情走势销售排行榜，IRGB4064DPBF报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRGB4064DPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(on)TrenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •MaximumJunctiontemperature175°C •5µsSCSOA •SquareRBSOA •100ofThePartsTestedforILM •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •UltraFastSoftRecoveryCo-pakDiode •TighterDistributionofParameter

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRGB4064DPBF

LowSwitchingLosses

文件：379.96 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRGB4064DPBF

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 20A 101W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IRGB4064DPBF_15

LowSwitchingLosses

文件：379.96 Kbytes Page：11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
4064C

DUALJ-FETINPUTLOW-POWEROPERATIONALAMPLIFIER???

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
4064

14-bit,500MSa/s,512kpoint(Ch2only)arbitrarywaveformgenerator

文件：544.12 Kbytes Page：5 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
4064B

DualChannelFunction/ArbitraryWaveformGenerators

文件：2.44862 Mbytes Page：6 Pages

BKB&K Precision Corporation

B & k B & k 精密机械有限公司

BK
AC4064

800TO4000MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER

文件：185 Kbytes Page：2 Pages

TELEDYNE

TELEDYNE

TELEDYNE
B4064

VDSLTransformers

文件：473.2 Kbytes Page：1 Pages

pulse

Pulse Electronics

pulse

IRGB4064DPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGB4064DPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IRGB4064DPBF供应商更多...

更新时间：2024-6-7 20:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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