IRGB4059DPBF价格

参考价格:¥9.7505

型号:IRGB4059DPBF 品牌:IR 备注:这里有IRGB4059DPBF多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRGB4059DPBF批发/采购报价,IRGB4059DPBF行情走势销售排行榜,IRGB4059DPBF报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRGB4059DPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(on)TrenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •MaximumJunctiontemperature175°C •5µsSCSOA •SquareRBSOA •100ofThePartsTestedfor4XRatedCurrent(ILM) •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •UltraFastSoftRecoveryCo-pakDiode

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRGB4059DPBF

LowSwitchingLosses

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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRGB4059DPBF

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 8A 56W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

LowSwitchingLosses

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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

BATTERYMANAGEMENTSTANDALONELINEARLI-IONBATTERYCHARGERWITHTHERMALREGULATION

DESCRIPTION TheA4059ischargingmanagementcircuitthatcanbeprogrammedthroughanexternalresistorconstantcurrent/constantvoltagecharging.Thedeviceincludesaninternalpowertransistor,doesnotneedexternalcurrentsenseresistorandblockingdiodeinapplications.A4059requires

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI

BATTERYMANAGEMENTONECELLLITHIUM-ION/POLYMERBATTERYPROTECTIONIC

DESCRIPTION TheA4059Aprovidesahighintegrationsolutionforlithium-ion/polymerbatteryprotection.TheA4059AcontainsadvancedpowerMOSFET,high-accuracyvoltagedetectioncircuitsanddelaycircuits. TheA4059Ahasalltheprotectionfunctionsrequiredinthebatteryapplicationincludin

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI

LatchTypeHallSensor

文件:605.2 Kbytes Page:8 Pages

AHNJNANJING AH ELECTRONICS CO., LTD

AH电子南京AH电子科技有限公司

AHNJ

SAWComponentsLowLossFilterforAutomotiveTelematics1575,42MHz

文件:60.99 Kbytes Page:6 Pages

EPCOSEPCOS - TDK Electronics

爱普科斯爱普科斯与TDK元件事业部

EPCOS

CMOSPROGRAMMABLEDIVIDE-BY-NCOUNTER

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TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI

IRGB4059DPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGB4059DPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-14 17:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
21+
TO220
1709
IR
23+
TO-220AB
8600
全新原装现货
Infineon
1931+
N/A
493
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Infineon
22+
NA
493
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
Infineon
18+
NA
3000
进口原装正品优势供应QQ3171516190
IR
23+
TO-220AB
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
IR
2023+
TO220
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
IR/VISHAY
23+
TO-TO-220
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
IR
22+23+
TO220
37489
绝对原装正品全新进口深圳现货
IR
2022
TO-220
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询

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