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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low

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英飞凌英飞凌科技公司

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AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

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更新时间:2024-6-7 14:54:01
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