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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •Low

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英飞凌英飞凌科技公司

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万国半导体美国万国半导体

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更新时间:2024-6-15 15:17:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY-威世
24+25+/26+27+
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