IRG7PH42UD-EP价格

参考价格:¥35.9095

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG7PH42UD-EP

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRG7PH42UD-EP

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 85A 320W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology •Lowswitchinglosses •Maximumjunctiontemperature175°C •SquareRBSOA •100ofthepartstestedforILM •PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient •Tightparameterdistribution •Lead-Free Benefits •Highefficiencyinawiderange

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IRF

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IRG7PH42UD-EP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG7PH42UD-EP

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Generic Ind App

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-28 10:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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TO-247
90000
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INFINEON/IR
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