IRG7PH35UD1PBF价格

参考价格:¥24.6137

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG7PH35UD1PBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-LOWVFDIODEFORINDUCTIONHEATINGANDSOFTSWITCHINGAPPLICATIONS

Features •LowVCE(ON)trenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •SquareRBSOA •Ultra-LowVFDiode •1300VpkRepetitiveTransientCapacity •100ofthePartsTestedforILM •PositiveVCE(ON)TemperatureCo-Efficient •TightParameterDistribution •LeadFreePackage Benefits •D

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封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 50A 179W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-LOWVFDIODE

Features •LowVCE(ON)trenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •SquareRBSOA •Ultra-LowVFDiode •1300VpkRepetitiveTransientCapacity •100ofthePartsTestedforILM •PositiveVCE(ON)TemperatureCo-Efficient •TightParameterDistribution •LeadFreePackage Benefits •D

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IRG7PH35UD1PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG7PH35UD1PBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-13 0:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
09+
TO-247
1300
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
1816+
TO-247
6523
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!
Infineon
22+
NA
493
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Infineon Technologies
23+
TO247AC
9000
原装正品,支持实单
ir
22+
500000
行业低价,代理渠道
Infineon Technologies
21+
TO247AC
13880
公司只售原装,支持实单
ADI
2022+
QFN
6000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
IR
22+
TO-247
89775
INFINEON/IR
2023+
TO-247
1640
一级代理优势现货,全新正品直营店
IR
TO-247
68900
原包原标签100%进口原装常备现货!

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