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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRG4RC10KTR | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation4IGBTsofferhig | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,IC=2.0A) Features •Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies( | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation4IGBTsofferhig | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IRG4RC10KTR产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4RC10KTR
- 功能描述
IGBT UFAST 600V 9A D-PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
SOT252 |
4000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
IR/INFINEON |
22+21+ |
SOT-252 |
32000 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
DPak |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
ADI |
2022+ |
QFN28 |
6000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
IR |
21+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
IR |
2024+实力库存 |
TO-252 |
3000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IR |
23+ |
NA/ |
1835 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
IR |
SOT-252 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-252-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
DPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
IRG4RC10KTR芯片相关品牌
IRG4RC10KTR规格书下载地址
IRG4RC10KTR参数引脚图相关
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- l100
- ku波段
- kt250
- kse13005
- ks20
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- k9f1208
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- k2010
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- j108
- isd1420
- IRH7130
- IRH7054
- IRH60
- IRH4230
- IRH4150
- IRH4054
- IRH3230
- IRH3150
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- IRG4RC10UDTRP
- IRG4RC10UDTRLP
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2023-12-11IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货
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2021-11-24IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
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2021-11-23IRG4PC50WPBF
属性参数值 商品目录IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值）55A 集射极击穿电压（最大值）600V 类型- 不同Vge，Ic时的Vce（on）2.3V@15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17IRKD7104，IRKD71-04，IRKD71-06，IRKD71-08，IRKD71-16，IRKD91-04
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2020-1-12
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