IRG4RC10KDTRPBF价格

参考价格:¥6.1247

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4RC10KDTRPBF

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 600V 9A 38W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation4IGBTsofferhig

IRFInternational Rectifier

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IRF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.10V,@Vge=15V,IC=2.0A)

Features •Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation4IGBTsofferhig

IRFInternational Rectifier

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IRF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

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IRF

IRG4RC10KDTRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4RC10KDTRPBF

  • 功能描述

    IGBT 模块 600V 8.500A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2024-5-15 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2020+
TO-252
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
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Infineon Technologies
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