IRG4PH40UD-EPBF价格

参考价格:¥25.5679

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4PH40UD-EPBF

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 41A 160W TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.74V,@Vge=15V,Ic=15A)

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.47V,@Vge=15V,Ic=15A)

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE

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FitRate/EquivalentDeviceHours

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FitRate/EquivalentDeviceHours

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SINGLE-PHASEFULLWAVEBRIDGE4AMPERESFORP.C.BOARDANDHEATSINKMOUNTING

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edi

edi

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IRG4PH40UD-EPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4PH40UD-EPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-29 15:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
21+
65230
INFINEON/英飞凌
23+
TO-247
127600
IR英飞凌VISHAY专做 全新原装进口正品假一赔百,可开13
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2021+
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原装
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独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
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